本报讯 （记者 高雅敏） 近日中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所专家通过《咨情快讯》向我市推介氮化镓单晶产业技术项目。

　　本项目采用氨热法生长高质量低成本的氮化镓单晶，挑战新一代半导体材料质量的物理极限，氮化镓（GaN）晶片技术指标达到国际先进水平。

　　随着GaN衬底生产规模的逐渐扩大和成本的降低，GaN衬底将逐渐从蓝绿光激光器，过渡到高功率高效率LED器件以及大功率电力电子器件，在特殊的细分领域占据越来越大的市场份额。

　　目前本项目的产业化技术主要集中在氨热生长设备、材料生长工艺两个主要的方面。设备拥有自主设计的独特氨热生长系统。目前国际上还没有商业化的氨热设备；相关的技术目前处于国内领先、国际先进水平。