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解决储存速率难题

我国科学家研发出闪存芯片

  复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室、集成电路与微纳电子创新学院周鹏-刘春森团队率先研发出全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片,成功解决存储速率技术难题。相关研究成果10月8日发表于学术期刊《自然》。

  今年4月,周鹏-刘春森团队于《自然》期刊提出“破晓”二维闪存原型器件,实现400皮秒超高速非易失存储。该研究团队认为,若要加快新技术孵化,就要将二维超快闪存器件充分融入互补金属氧化物半导体(CMOS)传统半导体生产线。将二维材料与CMOS电路集成且不破坏其性能,是团队需要攻克的核心难题。“我们没必要去改变CMOS,而需要去适应它。”周鹏介绍,团队从具有一定柔性特点的二维材料入手,通过模块化集成方案,先将二维存储电路与成熟CMOS电路分离制造,再通过微米尺度的高密度单片互连技术实现完整集成,使芯片集成良率超过94%。

  这一成果将二维超快闪存与成熟CMOS的工艺深度融合,攻克了二维信息器件工程化的关键难题,率先实现全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片的研发。     市科协供稿

 
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